Оглавление базы знаний о О. В. Лосеве

ГЛАВА XV.

ВОЗРОЖДЕНИЕ КРИСТАДИНА.

На славных страницах истории советской радиотехники имя изобретателя кристадина, выдающегося исследователя полупроводников - Олега Владимировича Лосева занимает почетное место.

Кристаллические детекторы, применявшиеся в радиоприемных устройствах еще на заре радиотехники, играли длительное время исключительно важную роль. В первый период развития радиотелефонии кристаллический детектор был неотъемлемой частью любого радиоприемного устройства. Даже в то время, когда его стала вытеснять радиолампа, в работах О.В. Лосева он вновь нашел широкое применение, на первый взгляд совершенно неожиданное, в новой форме – в форме генерирующего кристалла. Однако, и «кристадин» Лосева в начале 30-х годов был вытеснен из радиоприемной техники новыми приемниками с электронными лампами. Казалось, что кристаллические детекторы и генераторы полностью стали достоянием истории радиотехники.

Между тем интенсивно продвигались вперед новые исследования физических свойств полупроводниковых кристаллов, их электропроводности, их строения, люминесценции и пр. Оригинальные работы Лосева по исследованию карборунда, его свечения и фотоэлектрических свойств значительно способствовали выяснению закономерностей в процессах, происходящих в полупроводниках.

Ко времени Великой Отечественной войны советские физики - в частности школа академика А.Ф. Иоффе - заняли ведущее положение среди исследователей полупроводников.

Особенно важное практическое значение получили работы по изучению запирающих слоев, образующихся на границе между полупроводником и металлом или между двумя проводниками с проводимостью разного типа - электронной и так называемой «дырочной».

Существование сложных слоев полупроводника с проводимостью разного типа по обе стороны от запирающего слоя было доказано Лосевым в кристаллах карборунда. В.Е. Лашкарев экспериментально показал наличие подобных же условий в селеновых и в медно-закисных фотоэлементах и выпрямителях. Из работ А.Ф. Иоффе и А.В. Иоффе следовало, что выпрямление должно наблюдаться в том случае, когда контактный потенциал «дырочного» полупроводника больше, чем контактный потенциал электронного полупроводника. Первая законченная теория выпрямления на границе двух полупроводников с проводимостью различного типа, хотя еще без учета контактной разности потенциалов, была разработана советским теоретиком Б.И. Давыдовым. Значительную роль в развитии современного понимания полупроводников сыграли работы академиков И.В. Курчатова, Л.Д. Ландау, члена корреспондента Я.И. Френкеля и др.

Быстрое распространение в промышленности и своеобразные особенности твердых полупроводниковых выпрямителей, а также результаты их теоретического исследования - все указывало на то, что для детектирования высокочастотных электромагнитных колебаний совершенно необязательно применение контакта острия с определенной «детектирующей» точкой кристалла, - совершенно не обязательно отыскание и таких детектирующих точек. Выпрямление переменного тока оказалось возможно осуществлять на широких площадках, на границах, разделяющих разные полупроводники. Однако создать такие площадки, все точки которых сплошь обладали бы одинаковыми выпрямляющими свойствами, долго не удавалось. Только в самые последние годы, когда в практику вошли выпрямители из германия и кремния, у которых на поверхностях граней кристаллов при определенной технологической обработке автоматически образуются сплошные однородные активные слои, вопрос о кристаллических детекторах с постоянными контактами и совершенно устойчивыми электрическими параметрами вновь вызвал напряженный интерес в широких кругах физиков и радиоинженеров.

Современные кристаллические детекторы имею значительно лучшие выпрямляющие свойства по сравнению с прежними кристаллами и вполне надежны в работе. Уже не требуется хлопотливое отыскание детектирующих точек; эти точки не могут теряться от случайных, непредвиденных причин. Острие при образовании контакта стало нужным не для выделения детектирующей точки на поверхности кристалла, а для уменьшения емкостной проводимости активного детектирующего слоя. Оно может касаться любой точки и дает всегда одинаковый эффект.

Развитие радиотехники шло по линии уменьшения длин волн, по внедрению высокочастотных и ультравысокочастотных колебаний. Еще в 1926-28 годах в стенах Нижегородской Радиолаборатории им. В.И. Ленина проф. М.А. Бонч-Бруевич и его сотрудники отчетливо выяснили, какое исключительное значение для техники связи имеют короткие волны.

При лабораторных исследованиях коротких волн колебаний сверхвысоких частот было установлено, что электронная лампа уже не может применяться как детектор, когда время пролета электрона от катода до анода сделается соизмеримым с периодом колебаний. Оказалось, что наиболее подходящим прибором для выпрямления сверхвысоких частот вновь сделался кристаллический детектор, обладающий на этих частотах значительно большей чувствительностью, чем ламповый. Во время Великой Отечественной войны бурно развивалась радиолокационная техника на ультракоротких волнах, и кристаллический детектор получил важное практическое применение. Пришлось вспомнить о работах 0.В. Лосева и заняться изучением экспериментов в более широком масштабе и в новых, более благоприятных условиях.

Наиболее успешным оказалось изучение свойств детекторов из германия, открытие которого было предсказано Д.И. Менделеевым еще в 1868 г. Выяснилось, что своими замечательными свойствами, своей способностью образовывать сплошные однородные активные слои германий обязан тому обстоятельству, что он, подобно тому, как это было Лосевым установлено для карборунда, может обладать и электронной и «дырочной» электропроводностью, в зависимости от наличия ничтожных примесей в его кристаллической решетке и от технологии его обработки.

Вскоре было установлено, что германиевый детектор, так же как и цинкитный, имеет падающую характеристику, а, следовательно, может генерировать колебания, однако, лишь при более высоком обратном напряжении на контакте (рис. 71).


71.  Вольтамперная характеристика германиевого детектора.

Механизм проводимости у германиевого детектора, как и у многих других полупроводников, был подробно изучен. В литературе полупроводники, обладающие «дырочной» проводимостью, когда ток в них течет за счет положительных зарядов перемещающихся по кристаллической решетке дырок, получил название - проводников типа – p, а полупроводники с электронной электропроводностью, где ток образуют движущиеся отрицательные заряды (электроны) - проводников типа – n. «Дырка» представляет собою то свободное место в кристаллической решетке, оставшееся от электрона, переместившегося в другую часть кристалла. В этом свободном месте соседние атомы, положительные заряды которых не компенсируются больше зарядом электрона, создают электрическое поле, подобное полю около положительно заряженной частицы.

Атом n – полупроводника, бывший нейтральным, может отдать свой электрон соседней положительной «дырке» около атома с недостаточным числом электронов, а сам образовать новый «дырочный» положительный заряд, который таким образом будет перемещаться в толще веществ из одной ячейки решетки в соседнюю и т.д.

О.В. Лосеву в 1925-26 годах было необходимо придумывать рабочие гипотезы о природе электронного разряда в детекторах, об «истечении электронов», в настоящее время в этом нет уже надобности, большинство примитивных представлений Лосева утратило свое значение. В то же время результаты его экспериментальных работ, в свете современных теорий, приобрели новую ценность.

Если мы рассмотрим показанное на рисунке (Рис.72) схематическое расположение зарядов в полупроводнике, у которого основная масса - Т (его толща по терминологии Лосева) имеет дырочную проводимость, а поверхность активного слоя А имеет электронную проводимость, то между этой массой и верхним слоем образуется тонкий пограничный, обладающий изоляционными свойствами, слой В - запирающий слой. В нем «дырки» заполнятся электронами, и носителей заряда в нем не будет. Если к острию детектора К подвести положительный заряд, а отрицательный заряд к пластинке mn (большой площади), в полупроводнике образуется электрическое поле, направленное от места контакта острия к пластинке mn. Электрическое поле заставит положительные заряды – «дырки» - перемещаться в слое Т вниз, а отрицательные заряды в слое А - вверх.



72.  Схематическое изображение кристалла германия, обладающего А электронной (сверху) и Т дырочной (снизу) проводимостью - промежуточный слой В является запорным.

В запирающем слое В, в результате такого движения зарядов в разные стороны, окажется значительно меньше носителей тока, чем в других частях кристалла. Запирающий слой будет еще более «обеднен» электрическими зарядами, и, соответственно, увеличится его сопротивление. Увеличение разности потенциалов приведет к дальнейшему уменьшению числа заряженных частиц в слое В и к падению на нем большей части приложенного напряжения.

Перемена знака напряжения, прикладываемого к детектору, приводит к обратной картине - к противоположному перемещению как электронов, так и «дырок». Отрицательные заряды в слое (электроны) и положительные заряда в слое А («дырки») станут перемещаться к запирающему слою В и нейтрализовать друг друга, а сам слой станет тоньше; его сопротивление уменьшится.

Образование запирающего слоя, обедненного электрическими зарядами, при одном направлении тока и постепенное исчезновение его при противоположном направлении тока обуславливает полученные Лосевым и другими исследователями нелинейные вольтамперные характеристики таких кристаллов и объясняет их детектирующие свойства. Перегиб характеристики при большом обратном напряжении указывает, что при этом детектор приобретает свойства отрицательного сопротивления. Им можно воспользоваться в радиотехнических приборах, в основе которых лежат схемы, предложенные Лосевым. Так, германиевый детектор стал применяться в качестве заменителя ламповых диодов. В измерительном генераторе, схема которого изображена на рис. 73 германиевый детектор выполняет ту же функцию, что и цинкитный детектор в кристадине Лосева. Различие состоит лишь в конструкции держателя (патрона) и в применении вместо цинкита германия, что делает такой генератор стабильным.


73.  Схема современного измерительного генератора звуковой частоты с германиевым детектором.

В свое время электронная лампа полностью заменила генерирующий и усиливающий кристалл цинкита, потому что она давала более широкие возможности для управления движением свободных электронов в пустоте. Теперь мы знаем, что в самой толще вещества, в кристаллах полупроводников существуют неисчерпаемые запасы свободных зарядов, не требующих, в отличие от пустотных ламп, электрической энергии для их получения. Управление же этими зарядами можно осуществить в полупроводнике, подобно управлению электронами в пустоте с помощью электростатического поля, которое может проникать внутрь полупроводника. В этом существенное отличие полупроводников от металлов, в толщу которых поле проникнуть не может. Однако проследить движение свободных зарядов в толще вещества, где они окружены сложной структурой атомов самого вещества, где свободный пробег этих зарядов исчезающе мал, оказалось задачей крайне сложной; она потребовала более тонких и оригинальных методов исследования, более глубокого проникновения в сокровенные тайны строения вещества.

В настоящее время в радиотехнике наступила новая эпоха, характеризующаяся именно этим новым принципом управления свободными зарядами непосредственно в самом веществе. Полупроводники вновь широко входят в радиотехнику, наступает новый полупроводниковый период радиотехники, основоположником которого по праву должен считаться 0.В. Лосев.

Органы управления свободными зарядами переносятся в микромир, в самую кристаллическую решетку, в межатомные ее промежутки, начинается новый этап развития электроники.

Новую эпоху поэтому можно назвать эпохой микроэлектроники, в отличие от макроэлектроники, которая получила свое техническое применение в радиолампах и других электровакуумных и газоразрядных приборах. Исследователи германиевых детекторов, изучая пути проникновения в толщу кристалла германия электрического поля, сделали замечательное открытие: они обнаружили, что полем, образованным двумя внешними электродами и зарядами внутри толщи кристалла, можно управлять при помощи третьего внешнего электрода, если расположить его в непосредственной близости от одного из первых (в кристалле он стал играть роль сетки электронной лампы). Так родился кристаллический триод, получивший название «транзистор».

Оказалось, что такой усовершенствованный кристаллический германиевый детектор может подобно триоду усиливать электрические колебания за счет энергии, питающей его батареи, и может даже применяться для генерирования электрических колебаний в контуре (рис. 74).



74.  Полупроводниковый триод.

В этом новом виде кристаллический детектор с тремя электродами начал уже успешно вытеснять электронную лампу из ряда радиотехнических схем, из автоматики и из счетно-решающих машин. Перед лампой он имеет громадные преимущества вследствие своих малых размеров, малого веса, отсутствия накаливаемого катода, а также вследствие своей долговечности. Один из образцов современного кристаллического генератора состоит из кристалла германия размером в несколько кубических миллиметров и вольфрамового острия. Одна грань кристалла полностью металлизирована и образует основной электрод с большой площадью, плотно соприкасающийся с основной толщей кристалла. На противоположной грани - образован активный запорный слой путем травления в кислоте. В него упираются две острых вольфрамовых проволочки на расстоянии друг от друга от 5 до 20 микрон - совсем как в опытах Лосева при исследовании активного слоя на карборунде. Одно их этих острий, обозначенное на рис. буквой К, называют коллектором, другое, Э – эмиттером. При управлении электронами в активном слое коллектором К заряжается отрицательно (запорное направление тока), и, таким образом, в его цепи сопротивление возрастает. По Лосеву происходит увеличение толщины запорного слоя. Меняя потенциал на эмиттере, мы искажаем электрическое поле между коллектором и основным электродом и, при положительном заряде эмиттера, уменьшаем сопротивление запорного слоя, добавляя в него «дырки» за счет электронов, перешедших из кристалла на эмиттер. Таким образом, эмиттер получает возможность управлять движением зарядов в активном слое, подобно тому, как сетка в электронной лампе управляет потоком электронов, движущихся от накаленного катода к аноду. Запирающий слой становится тоньше и «дырки» с поверхности, под действием электрического поля, перейдут в толщу полупроводника, а электроны из толщи переместятся им навстречу. При перемене знака потенциала на эмиттере Э сопротивление в цепи коллектора уменьшится, на границе раздела между толщей и поверхностным слоем полупроводника вновь образуется заметный запирающий слой, на котором снова будет падать большая часть приложенного к коллектору напряжения.

Обычно на эмиттер накладывается небольшой положительный потенциал относительно полупроводника, то есть основного электрода, а на коллектор накладывается значительный отрицательный потенциал, также относительно основного электрода О. Как показано на рисунках (Рис 75а,б), изменяя напряжение U1 и, следовательно, ток i1 во входной цепи (в эмиттере), мы вызываем изменение тока i2 в выходной цепи (в коллекторе), причем U2 остается при этом неизменным.+) Отношение изменения тока i2 к изменению тока i1, при постоянном напряжении в выходной цепи бывает обычно значительно меньше единицы. Дело в том, что изменение i2 происходит в цепи (выходной), имеющей сопротивление более высокое, чем сопротивление в цепи (входной), где происходит изменение тока i1. Вследствие чего получается значительное усиление мощности. Сила тока i2 коллектора в основном определяется величиной потока «дырок», попадающих в толщу полупроводника из эмиттера. Поэтому, если включить в цепь коллектора сопротивление R (сопротивление нагрузки), то изменение напряжения на эмиттере (изменение напряжения на R2) будет примерно одинаковым при различных сопротивлениях нагрузки (Ri). Чем больше сопротивление R1, тем больше будет на нем переменная разность потенциалов, при подведении к эмиттеру переменного напряжения.

+) Примечание. Для читателя, знакомого с элементами высшей математики, укажем, что по аналогии с определением коэффициента усиления m=-(¶Ua/¶Ug)Ia=const для электронной лампы и для кристаллического триода вводится частная производная в виде (¶i2/¶i1)U2=const£1. В пределе значения этой производной может достигать 1, но обычно она бывает значительно меньше.

Таким образом, с помощью кристаллического триода можно усиливать не только мощность, но и напряжение, подобно тому, как в трехэлектродной лампе.

Микроэлектроника позволила получить полупроводниковые усилительные устройства поистине микроскопических размеров по сравнению с вакуумными лампами при тех же, примерно, полезных мощностях. Основной частью кристаллического триода является помещенный в пластмассу монокристалл германия, которому придана форма стерженька. Малые габариты такого кристаллического триода позволяют во много раз уменьшить и соответственно облегчить радиотехническую аппаратуру. Бесспорными преимуществами кристаллического триода, по сравнению с электронной лампой, является более длительный срок службы.

Общая мощность, затрачиваемая в кристаллическом триоде, в несколько тысяч раз меньше общей мощности, необходимой для работы электронной лампы, при одинаковых коэффициентах усиления. Срок службы у кристаллических триодов, которые стали изготовляться в 1952 году, достигал около 90.000 часов, то есть они могут, по-видимому, непрерывно работать в течение 10 лет.

Сопоставление некоторых свойств электронных ламп и кристаллических триодов дается в следующей таблице:

Основные данные кристаллического триода и электронной лампы.

+) дб - обозначен децибел - одна десятая Белла, единицы логарифмической шкалы, установленная для измерения усиления мощности, напряжений и токов. Шкала децибел, как и всякая логарифмическая шкала, предназначена для определения отношений к данной величине или к условно выбранному значению.

Таблица показывает, что кристаллические триоды уступают лампе по максимальной частоте усиления и допустимой рабочей температуре. Однако они имеют совершенно очевидные преимущества по величине потребляемой мощности, коэффициенту полезного действия и сроку службы, а главное - по размерам и механической прочности.

Одним из серьезнейших недостатков кристаллических триодов, которых еще не удалось преодолеть, является относительно высокий уровень шумов. Он больше, чем у ламп. Шумы уменьшаются с повышением частоты и, начиная с 5 миллионов периодов в секунду, практически не сказываются. На низких частотах, в частности на звуковых, в усилителях слабых сигналов, кристаллический триод из-за высокого уровня шумов применяться пока не может.

При исследовании трансгенерации Лосев делал попытки «раскачать кристалл кристаллом», то есть кристалл кварца заставить вибрировать за счет отрицательного сопротивления кристалла цинкита. Эти опыты Лосева, как мы помним, в 1927 году не увенчались успехом, вследствие невозможности согласовать большое общее сопротивление кварца с недостаточно большим сопротивлением цинкита. Однако стабилизировать кристадин кварцем он сумел (стр,,. (Рис 44). Недавно кристаллическим триодом удалось заменить электронные лампы в задающих генераторах с кварцевой стабилизацией. Оказалось, что в схемах таких генераторов, кварц может быть включен, как в цепь основного электрода, так и в цепи эмиттера или коллектора.

На рисунке 77 представлена одна из возможных схем генератора на кристаллическом триоде, частота которого стабилизирована кварцем. Кристалл кварца шунтирован дросселем высокой частоты, через который проходит постоянный ток из основного электрода к источникам питания. Колебательный контур, состоящий из последовательно соединенных индуктивности L и сытости С, включенных в цепь коллектора, настраивается на частоту кварцевого кристалла, сопротивление R является сопротивлением в цепи эмиттера. Делитель напряжения (потенциометр) П, служит для регулирования напряжения смещения на эмиттере. Высокочастотные колебания синусоидальной формы, частота которых стабилизирована, снимаются с настраивающего конденсатора С (с зажимов 1 и 2). Такие генераторы уже находят широкое применение и, возможно, вскоре заменят гетеродин в современных радиоприемниках и телевизорах.

В одном кристаллическом триоде эмиттер и коллектор помещались на противоположных гранях пластинки, на очень малом расстоянии друг от друга (десяток микрон). Для нахождения этого оптимального расстояния применялась методика постепенного сошлифования, подобная той, какая Лосевым применялась для изучения частей активного слоя при исследовании свечения кристаллов карборунда.

Интересные результаты получены при исследовании влияния магнитного поля на поведение германиевого диода. Оказалось, что сопротивление германиевого диода при прямом направлении тока, помещенного в магнитное поле различной ориентации, существенно изменяется. Сопротивление кристаллов германия в магнитном поле при определенной ориентации возрастало в 1,5-2 раза. Это обнаруживалось явление Холла. Мы можем ожидать, что воспроизведение опытов О.В. Лосева о влиянии магнитного поля на свечение и проводимость кристаллов карборунда, в современных условиях уже не дадут отрицательного результата.

Удалось сконструировать особый кристаллический триод, управляемый внешним электрическим полем. В нем управление величиной тока в цепи коллектора можно осуществить с помощью второго электрода, не находящегося в контакте с поверхностью кристалла, а расположенного в непосредственной близости коллектора, на небольшом расстоянии над активной поверхностью кристалла (см. рис. 78).

Электрическое поле, приложенное между вторым электродом и кристаллом, вызывает появление поверхностных зарядов, которые распределяются в верхнем слое конечной толщины. Эти заряды приведут к изменению сопротивления запирающего слоя вблизи коллектора, в результате возникает изменение силы тока в его цепи.

Следует особенно подчеркнуть, что такой кристаллический триод, с внешним управляющим полем, обладает очень высоким входным сопротивлением, что позволяет его использовать лишь как усилитель тока.

Трудно переоценить значение тех существенных изменений и перестроек, которые происходят в современной радиотехнике на наших глазах, в результате применения кристаллических триодов.

Введение третьего электрода в детектор, безусловно, является коренным его усовершенствованием, обеспечившим при новом понимании механизма проводимости прочный успех кристаллическому триоду. Следует вспомнить, что и введение третьего электрода в электронную лампу - управляющей сетки, было, безусловно, существенным усовершенствованием ее. Но можно ли считать, что оно принципиально изменило понимание основных процессов, протекающих в электронной лампе?

Двухэлектронная лампа, изобретенная Флемингом в 1905 году, применялась (и применяется), как вентильный прибор, в радиотехнике как детектор и в электротехнике как выпрямитель. На падающем участке вольтамперной характеристики двухэлектродной лампы обнаружено отрицательное сопротивление и, следовательно, она может служить для генерирования и усиления электрических колебаний. Когда в 1908 году Дефорест ввел в лампу третий электрод, область применения лампы необычайно расширилась. Трехэлектродная лампа получила исключительное значение для развития радиотехники и электронной автоматики.

Тогда в Соединенных Штатах Америки возник ожесточенный патентный спор по вопросу: следует ли считать, что третий электрод Дефореста совершенно изменил весь физический процесс, протекающий в электронной лампе, и что трехэлектродная лампа является совершенно самостоятельным независимым изобретением? Рассмотрение спора в американском суде, длившееся до 1917 года, дало на него отрицательный ответ; приоритет изобретения был признан за изобретателем двухэлектродной лампы Флемингом, открывшим способ управления электронным газом.

Бесспорно, доказан, на основании широко известных работ 0.В. Лосева, его приоритет, приоритет советской науки на открытие и применение генерирования и усиления электрических колебаний двухэлектродными кристаллами. Значение идеи Лосева в истории техники не связано с введением третьего электрода, оно основано на установлении существования и на понимании тех физических процессов в кристалле полупроводника, которые делают возможным создание полупроводниковых и диодов, и триодов, и тетродов, делают возможным их применение для генерирования колебаний в цепях высокой частоты и для усиления слабых токов.

Прошло уже более 30 лет после первых открытий, сделанных Олегом Владимировичем Лосевым. За эти годы советская радиотехника и советская физика достигли изумительных успехов. Они развивались при дружной совместной работе молодых ученых и инженеров, стремившихся к общей цели, указанной еще Владимиром Ильичем Лениным; они развивались под гениальным руководством великого Сталина - вождя всего прогрессивного человечества, при заботливой помощи нашей коммунистической партии Советского Союза. Трудно охватить тот славным путь, который прошла за это время советская техника, тот рост культуры в нашем отечестве, которая создается трудом миллионов рабочих и крестьян.

В наши дни юные радиолюбители в своих стараниях постичь достижения радио находятся в совершенно иных и бесконечно более благоприятных условиях, чем это было во время юношеских лет Олега Владимировича Лосева. В их распоряжении имеется громадное разнообразие радиотехнических деталей, им доступна богатейшая отечественная радиотехническая литература, они находят многочисленных друзей среди молодых сотрудников исследовательских институтов, которые могут помочь им одолеть теоретические трудности.

Такие широкие перспективы открыло перед ними «сегодня» советского социалистического государства.

Но в какой мере расширились возможности, в той же мере стали труднее и очередные технические проблемы, в такой же мере стали выше требования, которые предъявляются к радиоаппаратуре. Ведь если у юноши Лосева замирало сердце, когда он услышал в телефон радиопередачу Москвы, юные радиолюбители нашего времени часто уже не удовлетворяются прекрасными концертами, сопровождающими весьма совершенные телевизионные передачи, которые они могут у себя дома принимать на самодельные приемники. Они мечтают о передаче изображений на большие расстояния из конца в конец нашей родины, они мечтают о связи на сантиметровых и миллиметровых волнах, о многоламповых схемах с кристаллическими триодами, умещающимися в кармане и пр. и пр. И все эти мечты постепенно, шаг за шагом, близятся к осуществлению. Осуществляются они путем такого же энтузиазма, такой же напряженной работы мысли, такого же сосредоточивания внимания, с какой юный Олег Лосев добивался своих успехов с примитивной аппаратурой тридцать лет тому назад.

Вся его жизнь, вся замечательная творческая деятельность, начавшаяся с детского увлечения радиолюбительством и закончившаяся оригинальными исследованиями полупроводников, которые вплотную примыкают к современным проблемам строения вещества, представляют образец умственного роста современного советского ученого. Любовь к работе, интерес к тайнам природы и «чудесам» техники, природная одаренность, исключительная скромность - вот что позволило ему занять почетное место в истории советской техники. Мы должны вспомнить, как он никогда не ограничивался внешним практическим успехом, как он упорно доискивался до физических причин явлений, обуславливавших его технические успехи. В его жизни и в работе неоднократно случались неудачи, и он получал отрицательные результаты, но они никогда не останавливали его дерзаний, а лишь заставляли строже подходить к себе и настойчиво стремиться преодолевать препятствия. Особенно следует отметить, как проявление положительной черты характера и широты научного кругозора Лосева то, что он не стал в конце 20-х годов выступать против вытеснения кристадина электронной лампой, не цеплялся за старое, умирающее, а смело перешел к тем новым, более глубоким исследованиям, которые обеспечили возрождение кристадина в наши дни.

Такими были и стиль работы и научная жизнь Нижегородской Радиолаборатории им. В.И. Ленина, воспитавшей Лосева и вызвавшей выражение восхищения нашего великого писателя А. М. Горького. Жизнь и стремления Олега Владимировича Лосева, страстного радиолюбителя, блестящего экспериментатора, подлинного патриота нашей Родины, своими работами предвосхитившего развитие современного полупроводникового периода радиотехники, особенно близки нашей талантливой молодежи и созвучны ее исканиям новых путей и творческим дерзаниям.

Оглавление базы знаний о О. В. Лосеве